| 主权项 |
1. 一种低电源电压反相装置,包括: 一互补式金氧半电晶体反相器,由至少一P型电晶 体和一N 型电晶体所组成,以及 一背闸偏压电路,含一电容与一负载;该电容连接 于该反 相器之输入端与一该电晶体之基极间,并经该负载 提供偏 压。2. 如申请专利范围第1项所述之反相装置,其 中,该背闸 偏压电路系提供该P型电晶体基极偏压。3. 如申请 专利范围第2项所述之反相装置,其中,该负载 系一P型电晶体,其源极连接一电源,其闸极接地,而 其 汲极乃连接该电容。4. 如申请专利范围第1项所述 之反相装置,其中,该背闸 偏压电路系提供该N型电晶体基极偏压。5. 如申请 专利范围第4项所述之反相装置,其中,该负载 系一N型电晶体,其源极接地,其闸极接至一电压电 源, 而其汲极乃连接该电容。6. 如申请专利范围第1项 所述之反相装置系建置于一半导 体基底中。7. 如申请专利范围第6项所述之反相装 置,其中,该半导 体基底为一P型基底。8. 如申请专利范围第7项所 述之反相装置,其中,更包括 至少一N型井区形成于该半导体基底中,用以建置 该P型电 晶体。9. 如申请专利范围第6项所述之反相装置, 其中,该电容 系藉介电质形成于该半导体基底上方。10. 如申请 专利范围第6项所述之反相装置,其中,该负 载系形成于该半导体基底内之电晶体。11. 如申请 专利范围第1项所述之反相装置系受介于0.7伏 特至1.2伏特之电源电压供给。12. 如申请专利范围 第1项所述之反相装置更受低于0.7伏 特之电源电压供给。图示简单说明: 第1图绘示一传统反相器电路; 第2图绘示一利用背闸顺偏之传统反相器电路; 第3图绘示依照本发明一较佳实施例之电路架构; 第4图绘示不同背闸顺偏値下之电晶体通道区电流 ; 第5A图至第5E图绘示依照第3图之电路在1.2伏特电 源电压 供应下之各端点暂态波形; 第6A图至第6E图绘示依照第3图之电路在0.7伏特电 源电压 供应下之各端点暂态波形; 第7A图和第7B图分别绘示在1.2伏特电源电压供应下 ,依 照第3图电路在输出电压和电流値和第1图电路所 做之比较 ; 第8A图和第8B图分别绘示在0.7伏特电源电压供应下 ,依 照第3图电路在输出电压和电流値与第1图电路所 做之比较 ; 第9图绘示第3图之电晶体M33在不同电压下之电流 和等效 电阻値变化; 第10图绘示第3图电路静候电流与时间之关系; 第11A图和第11B图绘示依照第3图(A),第1图(B)和第2图 ( C)之电路分别在1.2伏特和0.7伏特之电源电压供应 下之输 出电压与时间之关系;以及 第12图缩示依照本发明之电路实际建构在一半导 体基底内 |
