| 主权项 |
1.一种具有抗电子冲穿植入区之电晶体元件的制造方法,包括下列步骤:提供一矽基底,该矽基底形成有场氧化层以区隔出元件区;在该矽基底上,形成一第一复晶矽层;在该第一复晶矽层上,形成一氮化矽层,并经蚀刻以形成一开口;在该氮化矽层的侧壁上,形成第一氧化矽间隔层;蚀刻该第一复晶矽层未被该氮化矽层和该第一氧化矽层盖住的部分,露出该矽基底欲形成闸极的区域;在该第一氧化矽间隔层和该第一复晶矽层的侧壁上,形成第二氧化矽间隔层;经由该开口,将离子布植进入该矽基底中以形成一抗电子冲穿植入区,其利用该第一和第二氧化矽间隔层控制,而使该抗电子冲穿植入区分布范围缩小;在该开口内该矽基底表面上形成一闸极氧化层;形成一第二复晶矽层盖在该氮化矽层,该第一和第二氧化矽间隔层,及该闸极氧化层表面上;以化学机械性抛光研磨法去除表面部分的该第二复晶矽层至该氮化矽层为止,构成平坦的表面,其中留在该开口内的该第二复晶矽层形成闸极;去除该氮化矽层,露出该第一复晶矽层;将离子布植进入该第一复晶矽层中及第二复晶矽中,经由扩散自动在该矽基底中形成一对浓掺杂源/汲极区,和位于其内侧的一对淡掺杂源/汲极区;以及形成一绝缘层覆盖在表面上,并经蚀刻以形成金属接触窗,完成该具有抗电子冲穿植入区的电晶体元件。2.如申请专利范围第1项所述的制造方法,其中形成该抗电子冲穿植入区的离子布植系使用硼离子,其布植能量约为150KeV,植入离子量约为110C^12C atoms/cmC^2C。3.如申请专利范围第1项所述的制造方法,其中该闸极氧化层的厚度是介于50埃至100埃。4.如申请专利范围第1项所述的制造方法,其中该氮化矽层是以热磷酸溶液蚀刻去除的。5.如申请专利范围第1项所述的制造方法,其中形成该浓掺杂和淡掺杂源/汲极区的离子布植系使用砷离子,其布植能量约为80KeV,植入离子量约为110C^14Catoms/cmC^2C。6.如申请专利范围第1项所述的制造方法,其中该绝缘层是一硼磷矽玻璃层。7.如申请专利范围第1项所述的制造方法,其中该绝缘层是一二氧化矽层。8.如申请专利范围第1项所述的制造方法,其中该绝缘层是一聚醯亚胺层。9.如申请专利范围第1项所述的制造方法,其中该金属接触窗形成在该第一复晶矽层位于该浓掺杂源/汲极区上方的部分。10.如申请专利范围第1项所述的制造方法,其中该金属接触窗形成在该第一复晶矽层位于该场氧化层上方的部分。11.如申请专利范围第1项所述的制造方法,其中在该浓掺杂和淡掺杂源/汲极区形成后,更包括形成金属矽化物层覆盖在该闸极和该第一复晶矽层表面上。12.如申请专利范围第11项所述的制造方法,其中该金属矽化物层是一矽化钛层。第1A至1C图是剖面示意图,绘示习知之抗电子冲穿植入区电晶体元件的制造流程;第2A至2H图是剖面示意图,绘示根据本发明方法一较佳实施例的制造流程;以及第3图显示根据本发明方法另一较佳实施 |
