| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 制造TFTs的方法从在形成于衬底上的底层上选择性地形成镍膜开始。在镍膜上再形成非晶硅膜而且加热使之晶化。用红外光辐照该晶化了的膜使之退火。从而获得结晶度优良的结晶硅膜。用这种结晶硅膜来构成TFTs。 | ||
| 申请公布号 | CN1102908A | 申请公布日期 | 1995.05.24 |
| 申请号 | CN94108851.0 | 申请日期 | 1994.06.22 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 张宏勇;寺本聪 |
| 分类号 | H01L21/02;H01L21/336;H01L21/82 | 主分类号 | H01L21/02 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王岳;程天正 |
| 主权项 | 1、一种制造半导体器件的方法，包括下列各步骤：在一衬底上，形成一非单晶半导体膜；在半导体膜上，形成一绝缘膜；对半导体膜和绝缘膜刻图；在刻成图形的绝缘膜及与其接触的刻成图的半导体膜侧面上，形成含促进半导体膜晶化的金属元素膜；以及从刻成图形的半导体膜侧面开始晶化。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||