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<P>- Dispositif associant un transistor bipolaire (10) et un transistor à effet de champ à jonction (12) en vue de produire une tension de sortie (Vd) plus élevée que la tension BVC E O du transistor bipolaire (10). <BR/> - Une extension latérale (30) de la zone de base (28) est munie d'une ouverture (38) dans laquelle est située une région de drain (40) du transistor à effet de champ. Une région périphérique (36) fortement dopée de même type que la région de drain (40), entoure l'extension latérale (30) formant grille, sur trois côtés, tandis qu'une région de couche enterrée fortement dopée (34), formant une partie conductrice de collecteur du transistor bipolaire (10), s'étend jusque sous la région périphérique (36) et forme avec cette dernière la source du transistor à effet de champ (12). <BR/> - Application: circuits intégrés.</P>
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