| 发明名称 | 压淬法直接制备大块致密纳米晶合金 | ||
| 摘要 | 本发明为一种块状致密纳米晶的制备方法，可以用下述两种方式实现，其一的工艺过程依下述步骤进行：在高压下将均匀合金加热，压力在5GPa～10GPa，加热至熔化；在高压下冷却，冷速1ks<SUP>-1</SUP>～300ks<SUP>-1</SUP>，至室温；卸压。其二的工艺过程依下述步骤进行：在高压下将均匀合金加热，压力在5GPa～10GPa，温度在熔点下100°K的范围；在高压下冷却，冷速1ks<SUP>-1</SUP>～1000ks<SUP>-1</SUP>。本发明可以使得制取的合金致密且无界面污染。 | ||
| 申请公布号 | CN1095765A | 申请公布日期 | 1994.11.30 |
| 申请号 | CN93111163.3 | 申请日期 | 1993.05.25 |
| 申请人 | 中国科学院金属研究所 | 发明人 | 李冬剑;胡壮麒;丁炳哲;姚斌 |
| 分类号 | C21D10/00;C22F3/00 | 主分类号 | C21D10/00 |
| 代理机构 | 中国科学院沈阳专利事务所 | 代理人 | 闵宪智 |
| 主权项 | 1、一种块状致密纳米晶的制备方法，其特征在于工艺过程依下述步骤进行：--在高压下将均匀合金加热，压力在5GPa～10GPa，加热至熔化；--在高压下冷却，冷速1ks-1～300ks-1，至室温；--卸压。 | ||
| 地址 | 110015辽宁省沈阳市沈河区文化路72号 | ||