Semiconductor power device.

摘要

Es wird ein Leistungshalbleiterbauelement angegeben, welches Mittel umfasst, die eine signifikante Verringerung der Dicke des Halbleitersubtrats (1) ermöglichen, bei gleichzeitiger Verlustoptimierung. Diese Mittel umfassen insbesondere einen transparenten Emitter (6) und eine Stopschicht (7). Die Mittel können sowohl bei Halbleiterschaltern wie IGBT, MCT oder GTO als auch bei Dioden eingesetzt werden. <IMAGE>