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发明名称 HIGH-VOLTAGE STRUCTURE HAVING OXIDE INSULATION SOURCE AND RESURF DRIFT REGION IN BULK SILICON
摘要
申请公布号 JPH06283715(A) 申请公布日期 1994.10.07
申请号 JP19930068137 申请日期 1993.03.26
申请人 TEXAS INSTR INC <TI> 发明人 SATSUTOUINDAA MARUHI
分类号 H01L29/78;H01L21/336;H01L29/786;(IPC1-7):H01L29/784 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
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