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发明名称 METHOD FOR FABRICATING BIPOLAR JUNCTION AND MOS TRANSISTORS ON SOI
摘要
申请公布号 EP0591672(A3) 申请公布日期 1994.08.24
申请号 EP19930113642 申请日期 1993.08.26
申请人 MOTOROLA, INC.;MOTOROLA INC 发明人 HWANG, BOR-YUAN;FOERSTNER, JUERGEN A.
分类号 H01L27/06;H01L21/331;H01L21/8222;H01L21/8248;H01L21/8249;H01L27/12;H01L29/73;H01L29/78;H01L29/786;(IPC1-7):H01L21/82;H01L21/84 主分类号 H01L27/06
代理机构 代理人
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