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发明名称 半导体致冷结构之改良
摘要 本创作系有关于一种半导体致冷结构之改良，其系于物体之壁面置设一半导体致冷器，同时将致冷面向所需降温之一侧而立，而散热面则配合散热板于另侧而立，其特征在：该半导体致冷器于内部填注有发泡体，俾以达到防水、隔热及防湿之保护目的者。
申请公布号 TW228965 申请公布日期 1994.08.21
申请号 TW082203566 申请日期 1993.03.23
申请人 刘文洁 发明人 刘文洁
分类号 H01L23/34 主分类号 H01L23/34
代理机构 代理人 陈金铃 台南巿建平五街一二二号
主权项 一种半导体致冷结构之改良,其系于物体之壁面置设一半导体致冷器,同时将致冷面向所需降温之一侧而立,而散热面则配合散热块于另侧而立,其特征在:该半导体致冷器于内部填注有发泡体,俾以达到防水、隔热及防湿之保护目的者。图一:本创作之半导体致冷结构详图图二:习用之半导体致冷结构详图图三:一般半导体致冷器之结构
地址 高雄县湖内乡仁爱街一二八号
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