摘要 |
Bei dem Verfahren zur Herstellung einer homogenen und feinkristallinen Siliziumnitridkeramik, wird keramisches Pulver gemahlen, mit Formgebungshilfsmitteln gemischt, die Mischung zu Formteilen geformt und die Formteile anschließend unter Stickstoffatmosphäre gesintert. Das Sintern erfolgt erfindungsgemäß in einem Mehrstufenprozess bei Temperaturen Tmax im Bereich von 1700 bis 1900°C unter Anwendung von Gasdrücken im Bereich von 0,2 bis 50 MPa. In einer ersten Temperaturstufe wird eine Temperatur von 0,9 bis 0,96·Tmax über eine Zeitdauer von 10 bis 50 min bei einem N2-Druck von 0,2 bis 1,2 MPa gehalten während in einer zweiten Temperaturstufe eine Temperatur von 0,97 bis 0,985·Tmax über eine Zeitdauer von 20 bis 80 min bei einem N2-Druck von 3 bis 6 MPa gehalten wird. Danach erfolgt die Temperaturerhöhung auf Tmax und die Druckerhöhung auf 7 bis 50 MPa. |
申请人 |
HOECHST AKTIENGESELLSCHAFT |
发明人 |
RIEDEL, GUENTER, DR.;KRUENER, HARTMUT, DR.;BOBERSKI, CORNELIA, DR.;HESSEL, FRIEDRICH, DR.;BOECKER, WOLFGANG, DR.;HEINRICH, JUERGEN, DR.;STEINER, MATTHIAS;DOETSCH, PETRA;ROSENFELDER, OTTMAR, DR. |