TARGET ELEMENT FOR CATHODE SPUTTERING.

摘要

L'élément de cible (2) est formé d'une couche (16) d'un composé inorganique fondant au-dessus de 300 °C déposée sur une couche support en mousse ou feutre métallique de telle sorte que la couche du composé inorganique pénètre sur une partie de son épaisseur dans la couche support pour définir une couche composite (17). Pour former l'élément de cible, on applique un système précurseur du composé inorganique sur la couche support, on soumet l'ensemble obtenu à une pression allant de 0,1 MPa à 15 MPa, on maintient l'ensemble résultant entre 300 °C et 1600 °C et en-dessous de la température de fusion du support pour obtenir un ensemble fritté, puis on refroidit ledit ensemble jusqu'à l'ambiante en évitant toute trempe. Pour produire la cible, l'élément (2) est collé sur un substrat (4) métallique à l'aide d'un adhésif conducteur (3).