| 主权项 |
1﹒一种式(1)化合物 其中 Y及Y1各系o NH或NH─C1─C4烷基 R及R1各系H或C1一C4烷基, R2及R3各系H,或R2连同R6且N及C 原子连结它们而形成一个5或6员环及 R3系H、或R3连同R7且N及C原子连 结它们而形成一个5或6员环且R2系H ,R4及R5各系H,或R4连同R8且N及 C原子连结它们而形成一个5或6员环且 R5系H,或R5连同R9且N及C原子连 结它们而形成一个5或6员环且R4系H ,R6.R7.R8及R9各系H、C1一C 4烷基或被取代或未被取代之苯基, Z系H、喃基、啶基或苯基,或系被 NO2.OH、N(C1─C4─烷基),或 COO(C1─C4─烷基)取代之苯基,且An 为衍生自无机酸或有机酸一元酸之阴离 子, 系F、C1、Br、I,C104 DrOA,104,NO3,HSO4,HCO3,C1─ C12烷基OSO3,C6H5OSOP3,BF4, pF6 ,AsF6,SbF6,DiF6,SbCI6(C1─ C4烷基0),PO2,(C1─C4烷基O)2 PO ,(C1─C4烷基0)2R11PO FSO3,(C1─C4烷基O)R11PO﹒R11 S3,R11CO2,R11系H、C1─C12 烷基,其可部分或全部被F或CI取代、 C4─C8环烷基、苯基、基或苯基或 基被1至3个F、Cl、C1─C6烷基或C ─C6烷氧基取代。 2﹒如申请专利范围第1项之化合物,其中烷 基系甲基。 3﹒如申请专利范围第1项之化合物,其中 R2及R3各系H且其中R2连同R6或R3 连同R7系三亚甲基。 4﹒如申请专利范围第1至3项中任一项之化 合物,其中R4及R5各系H或其中R4连 同R8且R5连同R9系1,1─二甲基─ 3─甲基三亚甲基。 5﹒如申请专利范围第1项之化合物,其中Z 系H、未被取代之啶基或喃基,或未 被取代之未基或苯基被硝基、单─或二烷 胺基、羟基、羧基或碳烷氧基取代者。 6﹒如申请专利范围第1项之化合物,其中阴 离子Ar"系CI﹒,Br,ClO4,C1─ C6烷基OS3'FSO3及R11SO3,其中R11 系C1─C4烷基、CF3'苯基或苯基被1 '至3个F、CI或CI或C1─C4烷基取代 7﹒一种制备如申请专利范围第1项之式(1 )化合物的方法,其中Z系H,其包括使 式(II)化合物与原甲酸酯于强酸存在下 反应, Y,R1.R3.R5.R7及R9系如申请 专利范围第1项之式(1)化合物中定义 ,其中反应温度系自50℃至120℃;该原 甲酸酯系当作溶剂而以过量使用;袓该强 酸系硫酸或单水合甲苯磺酸。 8﹒一种制备如申请专利范围第1项之式(1 )化合物的方法,其中用一种氧化剂使式 (Ⅲ)化合物氧化, Y、Y1.Z、R及R1至R9系如申请专 利范围第1项之式(I)化合物中定义; 该氧化温度为室温;以及氧化剂系选自 H2O2.三氯化铁、四氯及碘。 9﹒一种式(Ⅲ)化合物 ,至R9系如申请专 Y及Y1各系o、NH或NH─C1─C4烷基 R及R1各系H或C1─C4烷基, R2及R3各系H或R2连同R6且N及C 原子连结它们W形成一个5或6员环及 R3系H、或R3连同R7且N及C原子连 结它们而形成一个5或6员环且R2系H R4及R5各系H,或R4连同R8且N及C 原子连结它们而形成一个5或6员环且 R5系H,或R5连同R9且N及C原子连 结它们而形成一个5或6员环袓R4系H R6.R7.R8及R9各系H、C1─C4烷 基或被取代或未被取代之苯基, Z系H、喃基、啶基或苯基,或系被 NO2 、OH、N(C1一C4烷基),或COO( C1─C4一烷基)取代之苯基。 10﹒一种光学记录物质,包括(a)固体基材 ,在其上沈积有(b)系由至少一如申请专 利范围第1项之式(1)化合物所构成的 一种记录层。 11﹒ 如申请专利范围第10项之光学记录物质 ,其中设一反射层于基材与记录层之间或 在记录层上。 12﹒如申请专利范围第10项之光学记录物质 ,其中记录层之厚度为10nm至10m。 |
