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发明名称 Plasma unterstütztes CVD Verfahren auf TEOS basis zur Herstellung von Siliziumdioxide.
摘要
申请公布号 DE3789142(D1) 申请公布日期 1994.03.31
申请号 DE19873789142 申请日期 1987.12.18
申请人 APPLIED MATERIALS, INC., SANTA CLARA, CALIF., US 发明人 WANG, DAVID NIN-KOU, CUPERTINO CALIFORNIA 95014, US;WHITE, JOHN M., HAYWARD CALIFORNIA 94541, US;LAW, KAM S., UNION CITY CALIFORNIA 94587, US;LEUNG, CISSY, UNION CITY CALIFORNIA 94587, US;UMOTOY, SALVADOR P., PITTSBURG CALIFORNIA 94565, US;COLLINS, KENNETH S., SAN JOSE CALIFORNIA 95129, US;ADAMIK, JOHN A., SAN RAMON CALIFORNIA 04583, US;PERLOV, ILYA, MOUNTAIN VIEW CALIFORNIA 94040, US;MAYDAN, DAN, LOS ALTOS HILLS CALIFORNIA 94022, US
分类号 C23C16/48;C23C16/04;C23C16/40;C23C16/42;C23C16/44;C23C16/455;C23C16/46;C23C16/50;C23C16/509;C23C16/54;C23F4/00;C30B25/14;H01L21/205;H01L21/302;H01L21/3065;H01L21/31;H01L21/314;H01L21/316;H01L21/683;(IPC1-7):C23C16/54 主分类号 C23C16/48
代理机构 代理人
主权项
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