| 摘要 |
L'invention décrit deux procédés permettant d'éliminer par attaque par voie humide une couche d'arrêt d'attaque sans laisser de gravure sous-jacente indésirable. Dans le premier procédé, on utilise une technique d'attaque par ions réactifs, dont l'action est stoppée lorsqu'on arrive sur une couche d'arrêt d'attaque. La couche d'arrêt d'attaque ainsi exposée est éliminée par attaque par voie humide, ce qui laisse une gravure sous-jacente indésirable. La gravure sous-jacente est alors remplie d'un matériau de charge par procédé de dépôt en phase vapeur. On attaque ensuite la charge pour laisser une ouverture à paroi plane ne présentant aucune découpe sous-jacente. Cette dernière attaque peut être une attaque par crépitement suivie par une attaque au plasma. Dans le second procédé, on utilise une technique d'attaque par ions réactifs, dont l'action est stoppée lorsqu'on arrive sur une couche d'arrêt d'attaque, comme dans le premier procédé. Des parois latérales sacrificielles sont ensuite formées dans l'ouverture, puis la couche d'arrêt d'attaque exposée est éliminée par attaque par voie humide, la disposition des parois latérales servant à empêcher la formation de découpes sous-jacentes dans la couche d'arrêt d'attaque. Pour terminer, les parois latérales sacrificielles sont attaquées. |
