发明名称 SEMICONDUCTOR NONVOLATILE MEMORY AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF
摘要
申请公布号 KR930002293(B1) 申请公布日期 1993.03.29
申请号 KR19900004362 申请日期 1990.03.30
申请人 MATSUSHITA ELECTRIC IND. CO., LTD. 发明人 OSONE, TAKASHI;HORI, TAKASHI
分类号 H01L21/8246;H01L27/112;(IPC1-7):H01L27/112 主分类号 H01L21/8246
代理机构 代理人
主权项
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