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<P>L'invention concerne un transistor à effet de champ hyperfréquence de type à fil quantique dans lequel les électrons n'ont qu'une seul degré de liberté (1D). <BR/> Afin de diminuer les résistances d'accès, le canal (1D) est limité sous la grille (7) et formé par une pluralité de points quantiques (21) séparés entre eux par des trous (20). Les zones d'accès (18, 19) sont en semiconducteurs à deux degrés de liberté (TEGFET) ou en supraconducteurs. <BR/> Application aux transistors hyperfréquence.</P>
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