| 摘要 |
L'invention concerne les circuits intégrés et leur fabrication. Il est décrit un procédé pour réaliser des électrodes juxtaposées très rapprochées, telles que celles qu'on rencontre dans les registres à décalage à transfert de charge. Selon l'invention, on dépose une première couche de silicium polycristallin (14) et on fait une oxydation localisée sur une faible largeur, pour diviser la couche en deux électrodes (15 et 17). Puis on désoxyde totalement la zone de couche qui a été oxydée entre les deux électrodes, pour réaliser un espace évidé dans lequel on pourra loger une troisième électrode (38). Cette troisième électrode, en silicium polycristallin également, est déposée après qu'on ait reformé une légrère couche isolante sur les flancs des électrodes (15 et 17). Comme la largeur de l'espace évidé entre les deux premières électrodes est faible, il se forme une surépaisseur de silicium polycristallin. Il ne reste qu'à graver le silicium sur l'épaisseur de la couche déposée pour que ne subsistent des électrodes que dans les zones qui présentaient une surépaisseur. On a ainsi formé une troisième électrode très proche des deux premières, et pourtant sans recouvrement autre que sur les flancs des deux premières. |
