| 发明名称 | 高透过率导电玻璃 | ||
| 摘要 | 本发明是一种具有高透过率导电薄膜的导电玻璃及其制备方法。导电薄膜是掺杂有锑的锡氧化物半导体薄膜，对可见光相对于玻璃而言的透过率达97.8％以上。具有制备方法较简单，成本低的优点。 | ||
| 申请公布号 | CN1065647A | 申请公布日期 | 1992.10.28 |
| 申请号 | CN91102152.3 | 申请日期 | 1991.04.08 |
| 申请人 | 首都钢铁公司 | 发明人 | 胡岳风;石惠玲;杨光耀 |
| 分类号 | C03C17/23;C03C17/27;G02B1/10 | 主分类号 | C03C17/23 |
| 代理机构 | 首都钢铁公司专利代理事务所 | 代理人 | 李本源 |
| 主权项 | 1、一种具有高透过率导电薄膜的导电玻璃，由玻璃基片和导电薄膜组成，其特征在于：导电薄膜光学厚度是所透光光波长的二分之一。 | ||
| 地址 | 100041北京市石景山区 | ||