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<P>Un dispositif de mémoire à semiconducteurs non-volatile comprend un substrat semiconducteur d'un premier type de conductivité (1), un film d'oxyde de champ, une région de source (9a) et une région de drain (9b), séparées l'une de l'autre par la région de canal, un film mince d'isolation de grille (3) formé sur ladite région de canal, sur une partie de ladite région de source (9a) et sur une partie de ladite région de drain (9b), une première couche conductrice (4) formée sur ledit film d'isolation de grille (3), un film d'isolation inter-couche (5) formé sur ladite première couche conductrice (4), et une seconde couche conductrice (6) formée sur ledit film d'isolation inter-couche (5). Dans le dispositif de mémoire à semiconducteurs non-volatile, les caractéristiques des cellules peuvent être grandement améliorées en épaississant le bord mis à nu du film d'isolation de grille (5) de commande.</P>
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