| 摘要 |
<P>L'invention concerne un dispositif semi-conducteur ayant une haute tension de claquage et une faible résistance. <BR/> Selon l'invention, les concentrations en impuretés et les épaisseurs de ses première et troisième couches semi-conductrices (21, 3) sont choisies de manière que le champ électrique dans une couche d'appauvrissement s'étendant d'une jonction PN formée par les première et troisième couches à un état de maintien de la tension de claquage soit sensiblement présent dans la première couche (21) et de manière que la couche d'appauvrissement s'étende jusqu'à la seconde couche (1) et l'aire en section transversale de la première couche (21) diminue de la jonction (PN) jusqu'à la couche (1), perpendiculairement à cette direction. <BR/> L'invention s'applique notamment aux diodes et transistors.</P> |
