| 主权项 |
1.一种聚焦环组件,架构以实际包围一电浆处理室 之吸盘,包含: 一环形介电体;及 一导电屏蔽包围该环形介电体,该导电屏蔽系架构 以电气接地于该电浆处理室内,该导电屏蔽包含 一管形部安置于该环形介电体外侧并包围至少该 环形介电体之一部份,及 一向内突出凸缘部,其系与管形部电气相接,该凸 缘部形成一与管形部相交之平面,该凸缘部系内藏 于环形介电体内。2.如申请专利范围第1项所述之 聚焦环组件,其中该平面与管形部相交于该管形部 之上边缘,该管形部之上边缘系定位于环形介电体 之上表面及环形介电体之下表面之间。3.如申请 专利范围第1项所述之聚焦环组件,其中该平面与 管形部之纵轴形成一90度角。4.如申请专利范围第 1项所述之聚焦环组件,其中该环形介电体由第一 环形部及相邻于该第一环形部之第二环形部形成, 至少第二环形部之一部份系被导电屏蔽之管形部 所包围,该第一环形部系由一第一介电材料形成, 该第二环形部系由不同于该第一介电材料之第二 介电材料形成。5.如申请专利范围第4项所述之聚 焦环组件,其中该第一介电材料具有一第一介电常 数,该第二介电材料具有第二介电数,其较第一介 电常数接近真空之介电常数。6.如申请专利范围 第5项所述之聚焦环组件,其中该第一介电材料是 陶瓷。7.如申请专利范围第5项所述之聚焦环组件, 其中该第二介电材料是铁弗龙。8.一种电浆处理 室,架构以处理一基材,包含: 一吸盘,架构以于电浆处理时,支撑基材;及 一聚焦环组件实际包围该吸盘,该聚焦环组件包含 : 一环形介电体,及 一导电屏蔽包围该环形介电体,该导电屏蔽系架构 以电气接地于该电浆处理室内,该导电屏蔽包含 一管形部安置于该环形介电体外侧并包围至少该 环形介电体之一部份,及 一向内突出凸缘部,其系与管形部电气相接,该凸 缘部形成一与管形部相交之平面,该凸缘部内藏于 环形介电体内。9.如申请专利范围第8项所述之电 浆处理室,其中该平面管形部相交于管形部之上边 缘,及该管形部之上边缘系定位于环形介电体之上 表面及环形介电体之下表面之间。10.如申请专利 范围第8项所述之电浆处理室,其中该平面与该管 形部之纵轴形成一90度角。11.如申请专利范围第8 项所述之电浆处理室,其中该环形介电体由第一环 形部及相邻于该第一环形部之第二环形部形成,至 少第二环形部之一部份系被导电屏蔽之管形部所 包围,该第一环形部系由一第一介电材料形成,该 第二环形部系由不同于该第一介电材料之第二介 电材料形成。12.如申请专利范围第11项所述之电 浆处理室,其中该第一介电材料具有一第一介电常 数,该第二介电材料具有第二介电常数,其较第一 介电常数接近真空之介电常数。13.如申请专利范 围第12项所述之电浆处理室,其中该第一介电材料 是陶瓷。14.如申请专利范围第12项所述之电浆处 理室,其中该第二介电材料是铁弗龙。15.如申请专 利范围第8项所述之电浆处理室,更包含一局限环 安置于该聚焦环组件上。16.一种形成电浆处理室 之聚焦环组件之方法,该聚焦环组件系架构以实际 包围电浆处理室之吸盘,该方法包含步骤 提供一环形介电体;及 以一导电屏蔽包围该环形介电体,其包含 以导电屏蔽之管形部份包围该环形介电体之至少 一部份,管形部系安置于环形介电体之外,及 将导电屏蔽之向内突出凸缘部内藏于环形介电体 内,该向内突出凸缘系与管形部电气接触,该凸缘 部形成一平面,其与管形部相交。17.如申请专利范 围第16项所述之方法,其中该平面管形部相交于管 形部之上边缘,该管形部之上边缘系定位于环形介 电体之上表面及环形介电体之下表面之间。18.如 申请专利范围第16项所述之方法,其中该平面与该 管形部之纵轴形成一90度角。19.如申请专利范围 第16项所述之方法,其中该环形介电体由第一环形 部及相邻于该第一环形部之第二环形部形成,至少 第二环形部之一部份系被导电屏蔽之管形部所包 围,该第一环形部系由一第一介电材料形成,该第 二环形部系由不同于该第一介电材料之第二介电 材料形成。20.如申请专利范围第19项所述之方法, 其中该第一介电材料具有一第一介电常数,该第二 介电材料具有第二介电常数,其较第一介电常数接 近真空之介电常数。21.如申请专利范围第20项所 述之方法,其中该第一介电材料是陶瓷。22.如申请 专利范围第20项所述之方法,其中该第二介电材料 是铁弗龙。图式简单说明: 第一图例示典型电容耦合电浆处理室。 第二图例示第一图之电浆处理室,于电浆处理时所 形成之等电位场线。 第三图例示依据本发明之一实施例之本发明之聚 焦环组件,其包含一具有管形部及向内突出凸缘部 之接地导电屏蔽。 第四图例示当接地导电屏蔽之向内突出凸缘部被 省略时,所形成之场线。 |
