发明名称 MIS-STRUCTURE THIN-FILM FIELD EFFECT TRANSISTORS WHEREIN THE INSULATOR AND THE SEMICONDUCTOR ARE MADE OF ORGANIC MATERIAL
摘要 Transistor à effet de champ en couche mince TFT, de structure MIS, comprenant une couche mince de semiconducteur entre une source et un drain, ladite couche mince de semiconducteur étant en contact avec une face d'une couche mince en matière isolante, et ladite couche mince isolante étant en contact par son autre face avec une grille conductrice, dans lequel ledit semiconducteur est constitué par au moins un composé organique polyconjugué ayant une masse molaire définie, caractérisé par le fait que ledit composé organique polyconjugué, ou lesdits composés organiques polyconjugués, contiennent un nombre de liaisons conjuguées au moins égal à 8, que ledit composé organique polyconjugué ou lesdits organiques polyconjugués ont une masse molaire non supérieure à 2000 environ, et que ladite couche mince isolante est réalisée en polymère organique isolant possédant une constante diélectrique au moins égale à 5; et son utilisation comme élément de commutation ou d'amplification.
申请公布号 WO9201313(A1) 申请公布日期 1992.01.23
申请号 WO1991FR00541 申请日期 1991.07.04
申请人 CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS 发明人 GARNIER, FRANCIS;HOROWITZ, GILLES;FICHOU, DENIS
分类号 H01L51/05;H01L29/49;H01L29/51;H01L29/78;H01L29/786;H01L51/30 主分类号 H01L51/05
代理机构 代理人
主权项
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