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发明名称
METHOD FOR DEPOSITING HIGH QUALITY SILICON DIOXIDE BY PECVD
摘要
申请公布号
US5068124(A)
申请公布日期
1991.11.26
申请号
US19890438920
申请日期
1989.11.17
申请人
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
发明人
BATEY, JOHN;TIERNEY, ELAINE
分类号
H01L21/316;C23C16/40
主分类号
H01L21/316
代理机构
代理人
主权项
地址
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