| 摘要 |
<P>Le domaine de l'invention est celui de l'amplification de signaux électriques très large bande, du continu aux hyperfréquences, et plus précisément du continu jusqu'à des fréquences microondes supérieures à 6 GHz. <BR/> L'invention concerne un dispositif d'amplification très large bande continu-hyperfréquences, notamment pour l'amplification de signaux transmis à très haut débit sur fibre optique, du type comprenant au moins un étage (N) d'amplification dont l'élément actif d'amplification est un transistor (T1) à effet de champ monté en source commune, chacun desdits étages (N-1, N, N+1) d'amplification comprenant des moyens de maintien simultané d'une polarisation de tension continue positive sur le drain (23) dudit transistor (T1) et d'une polarisation de tension continue négative ou nulle sur la grille (21) dudit transistor (T1). <BR/> Ce dispositif peut avantageusement être réalisé en circuit intégré monolithique. <BR/> Une application privilégiée de l'invention est l'amplification de signaux transmis par des systèmes de transmission à très haut débit, notamment en fibre optique monomode.</P>
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