| 主权项 |
1﹒一种半导体晶片之垫板固定方法,其特征为:将中央部具备未扩散有不纯物之不纯物未扩散层,两面具备扩散有不纯物之不纯物扩散层之半导体晶片与直径大于该半导体晶片之直径之中间板交替的接合并列而从并列方向加压后,将涂抹有黏接剂之垫板挟入中间板之间而将之固定于半导体晶片之周缘。2﹒如申请专利范围第1项之方法,其中,在半导体晶片周缘涂抹黏接剂,将未涂抹黏接剂之垫板插入中间板之间将之固定于半导体晶片之周缘。3﹒一种半导体晶片之垫板固定方法,其特征为:将垫板相距一定间隔并列设立而在其上部涂抹黏接剂,或者将上部涂抹有黏接剂之垫板相距一定间隔并列设立后,将中央部具备未扩散有不纯物之不纯物未扩散层,而在两面其备扩散有不纯物之不纯物扩散层之半导体晶片,以与垫板相同之间隔并列,使其下降至垫板上,利用半导体晶片本身之重量将半导体晶片之周缘下部压接并固定在垫板上。4﹒如申请专利范围第3项之方法,其中,在垫板上设有可装设半导体晶片之周缘之凹沟。5﹒如申请专利范围第4项之方法,其中,该凹沟之形状系只将晶片之周侧缘之一面接合之L字形状。6﹒一种半导体晶片之垫板固定装置,其特征为包括:具有将垫板相距一定间隔并且可朝上方向抽出自如的并列之沟之载置台;及具有将中央部具备未扩散有不纯物之不纯物未扩散层,而两面具备未扩散有不纯物之不纯物扩散层之半导体晶片,以与垫板相同之间隔并列成可朝向上方抽出自如之沟之晶片收容部,在载置台或晶片收容部之一方或双方设置将晶片收容部装定于载置台上之一定位置之限制部,在晶片收容部之沟下部,设有容许半导体晶片与并列在载置台上皮垫板互相接触之开放部。7﹒如申请专利范围第6项之装置,其中,该垫板具有将包括半导体晶片之周侧缘在内之部份固定之凹沟或L字形沟。8﹒一种半导体晶片之补强材料形成方法,其特征为:将中央部具未扩散有不纯物之不纯物未扩散层,而两面具备未扩散有不纯物之不纯物扩散层之半导体晶片,与直径大于该半导体晶片之直径之中间板交替的接合并列而且从并列方向加压后,将具有必要黏性之热硬化性树脂所制成之黏接剂灌入中间板之间,使其硬化而在半导体晶片周缘形成由黏接剂所构成之补强材料。9﹒如申请专利范围第8项之方法,其中,将补强材料在半导体晶片之上周缘形成为上弦月状。10﹒一种半导体晶片之补强材料形成方法,其特征为:将中央部具备未扩散有不纯物之不纯物未扩散层,两面具备扩散有不纯物之不纯物扩散层之半导体晶片保持成垂直状,将该晶片之下部周缘嵌入灌入具有必要黏性之热硬化性树脂之圆弧状凹沟模具内,使凹沟模具内之树脂硬化而形成沿着晶片下部周缘部之补强材料后,将该补强材料从凹沟模具内脱模。11﹒如申请专利范围第8项或第10项之方法,其中,该热硬化性树脂系环氧系树脂,并对该树脂100重量份混合滑石15-20重量份使其具有黏性者。12﹒如申请专利范围第10项之方法,其中,将补强材料形成为没着半导体晶片之周缘并且包覆在晶片周缘之状态。13﹒如申请专利范围第12项之方法,其中,将补强材料在半导体晶片之下周缘形成为上弦月状。14﹒如申请专利范围第12项之方法,其中,将补强材料形成在2片或多片重叠之半导体晶片之周缘。15﹒一种半导体晶片之补强材料形成装置,其特征为:具有装设在将多片半导体晶片以一定间隔垂直的并列保持之晶片载体之底部开口内而用来插入被保持于该载体内之各半导体晶体之下部周缘之凹沟模具,在该凹沟模具上,对应于晶片之保持间隔形成使各半导体晶片之下部周缘分别嵌入之补强材料成型用之圆弧状凹沟,并且在此等凹沟之两端部沿着该凹沟之圆弧形成断面为V型之保持沟部,使保持沟部之中心对正凹沟之中心。16﹒如申请专利范围第15项之装置,其中,以分开之构件形成圆弧状凹构两端之保持沟部,将该保持沟部构件支持成可上下移动调节自如之状态。17﹒一种切割用基座装定构造,主要在中央部具备未扩散有不纯物之不纯物未扩散层,两面具备扩散有不纯物之不纯物扩散层之半导体晶片周缘设置切割用基座,其特征为:晶片之周缘啮入基座内。18﹒如申请专利范围第17项之构造,其中,该基座系具有凹沟或L字形沟之垫板,并且将半导体晶片之周缘嵌合固定在凹沟或L字形沟内。19﹒如申请专利范围第17项之构造,其中,该基座系在半导体晶片周缘硬化成型之补强材料。图示简单说明第1图及第2图为表示有关半导体晶片之垫板固定之习用构造之间题之侧面图第3图为表示本发明第1实施例之垫板固定方法之侧面图;第4图为其正面图;第5图为第3图之要部放大图;第6图-第7图为表示半导体晶片之2分割切害过程之放大断面侧面图;第8图为表示本发明第2实施例之垫板固定方法及装置之断面侧面图;第9图为表示第8图之装组状态之一部剖断侧面图;第10图为沿第9图中之X-X线之断面图;第11图为第9图之要部放大图;第12图为表示第3实施例之半导体晶片之塾板固定构造之正面图;第13图为沿着第12图中Y一Y线之断面图(包含要部放大图)第14图为表示垫板之固定位置之修饰例之正面图;第is图为表示垫板固定构造之其他修饰例之要部断面侧面图;第16图为表示第13图之半导体晶片之切割过程之放大断面侧面图;第17图为表示第4实施例之半导体晶片之补强材料形成方法之侧面图;第18图为沿第17图中之Z-Z 线断面图;第19图及第20图各为表示补强材料之修饰例之要部放大断面图,第21图为表示第5实施例中,将晶片嵌入半导体晶片之补强材料形成装置时之状态之正面图;第22图为表示该装置之凹沟模具之平面图;第23图为表示将凹沟之中央部形成为较深之凹沟模具之正面图;第24图为表示该装置之保持沟部之正面图;第25图为该保持沟部之正面图;第26图为凹沟之断面图;第27图为第21图所示装置中之保持沟之侧面图;第28图为该保持沟部之正面图;第29图为表示在凹沟内形成补强材之状态之纵断面图;第30图为在重叠之2片形成补强材料时之状态之纵断面图。 |
