| 主权项 |
1﹒一种晶状超传导陶瓷之制造方法,其特征为,所指的制造方法由下列各步骤所组成准备一个由具有与将要由此方法制造的超传导陶瓷类似的晶状结晶之非一超传导陶瓷所制的基底,以及使超传导陶瓷在所指的基底上形成。2﹒如申请专利范围第1项所请方法,其中,形成所指的基底之陶瓷的a一轴长度和b一轴长度大体上是与所指的超传转陶瓷之a一轴长度和b一轴长度相同的。3﹒如申请专利范围第2项所请方法,其中,形成所指的基底之陶瓷的c一轴长度是接近于所指的超传导陶瓷的c─轴长度。4﹒如申请专利范围第1项所请方法,其中,形成所指的基底之陶瓷和所指的超传导陶瓷皆是以铋为底质的氧化物陶瓷。5﹒如申请专利范围第1项所请方法,其中,所指的形成步骤是以网目印刷方法来实行的。6﹒如申请专利范围第1项所请方法,其中,所指的形成步骤是雷射溅射方法来实行的。7﹒如申请专利范围第4项所请方法,其中,形成所指的基底的陶瓷是以一般式(Bi2O2)(Am─1BmO3m+1)其中m>1来表示的。8﹒如申请专利范围第4项所请方法,其中,形成所指的基底之陶瓷是从由Bi2(Sr1─xLax)4Cu3Oy,Bi4Ti3O12,caBi4TiO15CaBi4Ti4O15﹒srBi4Ti4o15,BaBi4Ti4O15pbBi4Ti4O15﹒sr2Bi4Ti5O18和Ba2Bi4Ti4O18Pb2Bi4Ti5O18所构成的群中选择的。9﹒一种晶状超传导陶瓷之制造方法,其特征为,所指的制造方法是由下列各步骤所组成:准备一个由具有与将要由此方法制造的超传导陶瓷类似的晶状结构之非一超传导陶瓷而来的晶种;以及藉着拉晶技术以所指的晶种形成单晶体。10﹒如申请专利范围第9项所请方法,其中,形成所指的基底之陶瓷是从由Bi3Ti4NbO9,CaRi2Ta2O9,Bi3TINbo9﹒Bi3iiTaO9﹒caSi2Nb209,Bi3TlTao9,SrBi2Nb2O9,srBi2Ta2O9,BaBi2Nb2og﹒casr2Bi4Ti5o18,sr2Bi4Ti5o18Ba2Bi4Ti5O18和Pb2Bi4Ti5O18所构成之群中选择的。图示简单说明图1是显示依照本发明的超传导陶瓷的电阻系数跟着温度改变的图示。图2是显示依照本发明的超传导陶瓷的电阻系数跟着温度改变的图示。图3是显示依照本发明的超传导陶瓷之磁化强度跟着温度改变的图示。图4是显示依照本发明的超传导陶瓷之电阻系数跟着温度改变的图示。图5是显示拉晶设备的概要图示。图6是显示依照本发明的超传导陶瓷之电阻系数跟着温度改变的图示。图7是显示依照本发明的超传导陶瓷之电阻系数跟着温度改变的图示。图8是显示供本发明之具体表现中使用的雷射溅射设备的概要图示。 |
