发明名称 |
均质掺镁铌酸锂单晶及其制备方法 |
摘要 |
均质掺镁铌酸锂(MgO:LiNbO<SUB>3</SUB>)单晶的生长属于单晶生长领域。本发明的特征是:按三元摩尔总量等于100%计算,使用Li<SUB>2</SUB>O/Nb<SUB>2</SUB>O<SUB>5</SUB>=(47.2±0.3)/(52.8∴0.3)(摩尔比),MgO含量为4.0-7.0摩尔%的MgO:LiMbO<SUB>3</SUB>均质组成,在1220℃~1270℃的炉温下,以1~3毫米/小时的提拉速度,10~25转/分钟的旋转速度,用提拉法生长MgO:LiNbO<SUB>3</SUB>单晶体。经极化处理后所获得的晶体具有良好的光学均匀性。采用本方法生长的MgO:LiNbO<SUB>3</SUB>单晶,无生长条纹和包裹体等宏观缺陷,具有良好的化学组成均匀性。 |
申请公布号 |
CN1048569A |
申请公布日期 |
1991.01.16 |
申请号 |
CN89104593.7 |
申请日期 |
1989.07.03 |
申请人 |
中国科学院上海硅酸盐研究所 |
发明人 |
周燕飞;王锦昌;唐连安;朱泉宝;谭浩然;吴跃安 |
分类号 |
C30B29/22;C30B29/30;C30B15/00 |
主分类号 |
C30B29/22 |
代理机构 |
中国科学院上海专利事务所 |
代理人 |
聂淑仪;屠玉利 |
主权项 |
1、一种均质掺镁铌酸锂(MgO:LiNbO3)单晶,其特征在于: (1)化学成分为: 组元 摩尔% MgO 4.0-7.0 Li2O 43.6-45.6 Nb2O548.8-51.0 (2)三个组元的有效分配系数接近或达到1。 |
地址 |
200050上海市长宁区长宁路865号 |