| 发明名称 | 高压垂直扩散场效应管及其制法 | ||
| 摘要 | 一种高压垂直扩散场效应管的制作方法，属半导体器件技术领域已有技术是在低阻N+的硅单晶衬底片上，生长一层高阻N-外延层然后在外延层上进行双扩散制作而成本发明不用外延片，直接在硅单晶片上制作高压VDMOS晶体管，然后采用晶片减薄工艺和薄片加工工艺，降低VDMOS晶体管的导通电阻晶片减薄工艺和薄片加工工艺的特征是把薄硅片同底托片粘接在一起形成复合片，对复合片进行加工。 | ||
| 申请公布号 | CN1010066B | 申请公布日期 | 1990.10.17 |
| 申请号 | CN88106151.4 | 申请日期 | 1988.08.25 |
| 申请人 | 北京市半导体器件研究所 | 发明人 | 李思敏 |
| 分类号 | H01L21/18;H01L21/304;H01L29/784 | 主分类号 | H01L21/18 |
| 代理机构 | 北京市专利事务所 | 代理人 | 王敬智 |
| 主权项 | 1、一种高压垂直扩散MOS场效应晶体管的制造方法，其特征在于：a、用不长外延层的高阻硅单晶片作为基片；b、在完成管芯工艺后，把带有管芯的硅单晶片同底托片粘接成复合片，对复合片进行加工，使晶片减薄，降低晶体管的导通电阻。 | ||
| 地址 | 北京市沙河镇 | ||