| 摘要 |
<p>La présente invention concerne un commutateur statique bidirectionnel réalisé sous forme monolithique comprenant deux transistors MOS de puissance (TP1, TP2) reliés par leurs drains (D1, D2) et dont les sources (S1, S2) constituent les bornes principales (A1, A2) du commutateur ; deux transistors MOS auxiliaires (T1, T2) dont chacun est connecté par ses bornes principales entre la source et la grille de chaque transistor de puissance, les grilles de ces transistors MOS auxiliaires étant reliées au drain commun des transistors de puissance ; et deux résistances de valeur élevée (R1, R2), respectivement connectées entre la grille (g1, g2) de chaque transistor de puissance et la borne de commande (G) du commutateur statique.</p> |
