| 摘要 |
<P>La présente invention concerne une mémoire non volatile électriquement programmable dont les points mémoires sont constitués de transistors MOS T11, T12 à grille flottante 23 et qui est composée d'un réseau de lignes de mot LM1 s'étendant suivant des rangées, et de lignes de bit LB1, LB2 s'étendant suivant des colonnes. Une ligne à potentiel constant B, qui s'étend selon une colonne, relie des sources 22 desdits transistors, est constituée par une diffusion d'un premier type de conductivité, et est intercalée une fois sur deux entre deux lignes de bit. La région de drain 21 du premier type de conductivité de chaque transistor se prolonge suivant une colonne pour former une ligne de bit LB1, LB2. Une zone d'isolement 24 s'étendant selon une colonne est disposée du côté de chaque ligne de bit opposé à une ligne à potentiel constant B.</P>
|
