| 摘要 |
<P>L'invention concerne les circuits intégrés CMOS.</P><P>On utilise une structure CMOS pour former un transistor de sortie de puissance 12 associé à un multiplicateur de tension 15 qui produit un supplément de tension de polarisation, par rapport au seuil, pour l'attaque de la base du transistor de puissance. Le multiplicateur de tension fonctionne sous la dépendance d'impulsions d'horloge et comporte deux transistors 19, 25 associés à des éléments de commutation 20, 22, 23, 24, 26 et à un circuit miroir de courant utilisant un transistor bipolaire latéral parasite 21.</P><P>Application à la commande d'un transistor de puissance avec une alimentation à faible tension.</P>
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