| 主权项 |
1﹒一将一择自丙烷及异丁烷之链烷烃氨氧化 ,藉此一链烷烃与氧和氨之混合物与一实 质上不含铋且具有由以下实验式代表之元 素和比例的复合金属氧化物催化剂接触的 催化性蒸气相反应而制造丙烯晴或甲基丙 烯晴的方法: VSbmPnAaDbCcOx式中A为 W,Sn,B,Mo,和Ge之一者或一 者以上; D为Fe,Co,Ni,Cr,Mn,C u,Zn,Se,Te,Pb和As之一 者或一者以上; C为一硷金属,Ca,Sr,Ba,Tl 之一者或一者以上其中m大于1且至高为20:n为0﹒1 ─5;a为0﹒2─10:b为0─5;c为0─1:a等于或 小于m;b等于或小于m;其中x是由其 他存在之元素的氧化状态决定,且其中锑 之平均价数高于+3而钒之平均价数低于 +5,其中A包括至少0﹒2原子W,结 晶Sb2O4系存在于该催化剂中,且其 中前述催化剂为一择自于氧化矽,氧化铝 、氧化钛、氧化锆、氧化矽一氧化铌、氧 化矽─氧化锆、氧化矽一氧化钛、氧化矽 ─氧化铝、Nb2O5和镁之无机氧化物 支持体。 2﹒一如申请专利范围第1项之方法,其中m 为2─10。 3﹒一如申请专利范围第1项之方法,其中m 为3─7。 4﹒一如申请专利范围第1项之方法,其中该 支持体含有20至100重量百分比氧化 铝且系择自于氧化矽─氧化铝和氧化铝。 5﹒一如申请专利范围第1项之方法,其中该 支持体含有50至100重量百分比氧化 铝且系择自于氧化铝和氧化矽一氧化铝。 6﹒一如申请专利范围第4项之方法,其中A 包括每原子V至少0﹒4原子W。 7﹒一如申请专利范围第1项之方法,其中该 支持体系择自于和具有20至100重量 %氧化铝之氧化矽一氧化铝和氧化铝:具 有20─100重量%氧化钛之氧化矽─ 氧化钛和氧化钛:具有80─100重量 %氧化铝之氧化矽─氧化锆和氧化锆,以 及具有30─100重量%氧化铌(Nb 2O5)之氧化矽─氧化铌和氧化铌。 8﹒一如申请专利范围第1项之方法,其中b 为至少0﹒2。 9﹒一如申请专利范围第6项之方法,其中b 为至少0﹒2。 10﹒一如申请专利范围第5项之方法,其中A 包括每原子V1原子W。 11﹒一如申请专利范围第1项之方法,其中该 支持体含有60至100重量百分比氧化 铝且系择自于氧化铝和氧化矽─氧化铝。 12﹒一如申请专利范围第1项之方法,其中A 包括每原子V至少0﹒4原子W。 13﹒一如申请专利范围第4项之方法,其中A 包括每原子V至少0﹒4原子W。 14﹒一如申请专利范围第7项之方法,其中包 括每原子V至少0﹒4原子W。 15﹒一如申请专利范围第11项之方法,其中 A包括每原子V至少0﹒4原子W。 16﹒一如申请专利范围第1─15项中任一项 之方法,其中n为00﹒1─1。 17﹒一实质上不含铋且具有下列实验式所代表 之元素和比例之复合金属氧化物催化剂V SbmPnAaDbCcOx式中A为W ,Sn,B,Mo,和Ge之一者或一者 以上; D为Fe,Co,ni,Cr,Mn,C u,Zn,Se,Te,Pb和As之一 者或一者以上,C为一硷金属,Ca,S r,Ba,Tl之一者或一者以上,式中 M大于1且至高为20:n为0﹒1─5 ;a为0﹒2─10;b为0─5;c为 0─1:a等于或小于m;b等于或小于 m;其中x系由其他存在元素之的氧化状 态决定,且其中锑之平均价数高于+3之 钒之平均价数低于+5,其中A包括至少 0﹒2原子W,结晶Sb2O4系存在于 该催化剂中,且某中前述催化剂系在一含 有20─100%氧化铝,择自于氧化铝 和氧化矽一氧化铝之无机氧化物支持体材 料上。 18﹒一如申请专利范围第17项之催化剂,其 中m为2─10。 19﹒一如申请专利范围第17项之催化剂,其 中A包括每原子V至少0﹒4原子W。 20﹒一如申请专利范围第19项之催化剂,其 中m为3─7。 21﹒一如申请专利范围第17项之催化剂,其 中该支持体含有50至100重量百分比 氧化铝且系择自于氧化铝和氧化矽─氧化 铝。 22﹒一如申请专利范围第21项之催化剂,其 中A包括至少每原子V0﹒4原子W。 23﹒一如申请专利范围第17项之催化剂,其 中b为至少0﹒2。 24﹒一如申请专利范围第19项之催化剂,其 中b为至少0﹒2。 25﹒一如申请专利范围第17项之催化剂,其 中A包括每原子V至少1原子W。 26﹒一如申请专利范围第17项之催化剂,其 中该支持体含有60至100重量百分比 氧化铝且系择自于氧化铝和氧化矽一氧化 铝。 27﹒一如申请专利范围第26项之催化剂,其 中A包括每原子V至少0﹒4原子W。 28﹒一如申请专利范围第17─27项中任一 项之方法,其中n为0﹒1─1。 |
