| 摘要 |
<p>La structure permet de réaliser un module intégré à haute densité. Selon une réalisation préférée, il comporte sur une face un circuit hybride encapsulé (10) regroupant des circuits (2) à haute densité d'intégration formés par une ou plusieurs pastilles semi-conductrices, ces circuits étant rapportés sur un substrat à couches minces (8). Le substrat à couches minces est développé sur une face d'un substrat support à couches épaisses (1), de préférence en céramique cocuite. Des composants microélectroniques encapsulés, tels des circuits intégrés monolithiques (3), sont portés par l'autre face du substrat (1). Les interconnexions entre divers composants et avec l'extérieur s'effectuent au sein et à travers les couches du substrat support (1) de manière qu'il n'apparaît aucun fil ou connexion sur les parties non recouvertes du substrat (1). Une connectique amovible élastomérique (7) permet de connecter des bornes d'entrée/sortie (9) d'interconnexion du module avec l'extérieur.</p> |
