PROCESS FOR PREPARING TARGET MATERIAL FOR SUPERCONDUCTING FILM

摘要

Lors de la préparation d'un matériau cible pour un film supraconducteur par un procédé de pressage à chaud, une atmosphère sous vide est remplacée par une atmosphère de gaz inerte contenant de 0,1 à 10 % en volume d'oxygène et présentant une pression de 1 à 100 Torr à une température déterminée allant de 350 à 700°C pendant l'étape d'augmentation de la température, et le matériau à fritter est maintenu dans l'atmosphère de gaz inerte pendant une durée allant de 1 à 10 heures. Ce procédé permet d'obtenir un matériau cible de composition homogène et exempt de déformations permanentes.