金属—氧化物—半导体后部工艺

摘要

本发明可以减少导电层在光刻、合金及钝化过程中形成的缺陷，在光刻以及温度高于200℃的工艺之前，利用低温旋涂的方法在导电层上形成一个有色的玻璃层，通过在导电层上形成一个复合层的方法完成气密钝化，此复合层由两部分组成：下层为张力层，上层为压缩层，整个钝化层呈现净张力特性。

主权项

1.在半导体本体上形成具有经刻图、经合金的导电层的工艺，包括在所说半导体本体上淀积金属导电层，其特征在于该工艺还由下列步骤组成：A.在所说导电层上利用低温旋涂法淀积一层含有染料的玻璃层；B.任何光刻所说导电层图形和温度超过200℃的工艺都要在所说低温旋涂玻璃层的所说淀积之后进行。