| 摘要 |
Un détecteur de pression capacitif (47, 75, 100, 130, 170, 190) fabriqué suivant un procédé en discontinu permet d'isoler l'élément de détection (12, 102, 134, 183) et les conducteurs par rapport au milieu de pression et est également isolé contre les contraintes. Le détecteur de pression (47, 75, 100, 130, 170, 190) est conçu suivant une construction en sandwich comprenant une tranche de silicium (10) qui est attaquée d'un côté pour former des cavités (14) en plusieurs endroits désirés de manière à constituer des diaphragmes déflecteurs (12, 102, 134, 183), dont une surface joue le rôle de plaque de condensateur. Une couche de verre (20) est métallisée sur les deux côtés et présente des trous percés dans des endroits qui sont alignés avec les diaphragmes formés sur la tranche de silicium (10). La couche de verre (20) est liée de manière anodique à la tranche de silicium pour former un entrefer capacitif de quelques microns par rapport à ladite surface de chaque diaphragme (12, 102, 134, 183). L'assemblage de la couche de verre métallisé (20) et de la tranche de silicium (10) est dans une forme préférée prise en sandwich entre deux couches supplémentaires (30, 42, 154, 161, 163), et sont liées ensemble dans le vide. Le sandwich à quatre couches est ensuite découpé en plusieurs détecteurs individuels (47, 75, 100, 130, 170, 190). L'ensemble initial peut être formé pour atténuer les temps de réponse des diaphragmes et réduire au minimum les risques de faux signaux au niveau d'entrées de haute fréquence. |
