| 发明名称 | 新型半导体基础材料 | ||
| 摘要 | 这种新型半导体基础材料应该采用有基带工艺的薄膜技术制造的，而且应该具有大于1cm<SUP>2</SUP>。V<SUP>-1</SUP>·S<SUP>-1</SUP>的载流子迁移率。 本发明所述的半导体基础材料是由无定形含氢碳(a-C:H)薄层构成的，在室温下其电阻率介于10<SUP>1</SUP>和10<SUP>8</SUP>Ωcm之间，载流子浓度(n+p)介于10<SUP>10</SUP>和10<SUP>18</SUP>cm<SUP>-3</SUP>之间。 | ||
| 申请公布号 | CN1031298A | 申请公布日期 | 1989.02.22 |
| 申请号 | CN88104804.6 | 申请日期 | 1988.08.03 |
| 申请人 | 西门子公司 | 发明人 | 西格弗里德·比尔科;约翰·卡马迈雅;罗尔夫·舒尔特;阿尔布雷希特·温纳卡;格哈德·里特梅雅;阿尔布雷希特·温纳卡;格哈德·里特梅雅 |
| 分类号 | H01L29/16;H01L29/04;H01L21/205;C01B31/02;C23C16/25 | 主分类号 | H01L29/16 |
| 代理机构 | 中国专利代理有限公司 | 代理人 | 吴秉芬;程天正 |
| 主权项 | 1、具有优良半导体性能的半导体基础材料，其特征在于：由无定形含氢碳(a-C∶H)薄层构成，室温下电阻率介于101和108Ωcm之间，载流子浓度(n+p)介于1010和1018cm-3之间。 | ||
| 地址 | 联邦德国慕尼黑 | ||