| 摘要 |
Nouvelle famille de cellules de mémoire et de portes logiques numériques utilisant un circuit d'attaque à enrichissement (20), un déphaseur (16) de niveau de tension, et un régulateur (18) de courant afin de fournir des marges de bruit améliorées et des grandes excursions de logique. Le déphaseur (16) de niveau de tension et le régulateur (18) de courant sont connectés en série entre une entrée (12) et l'électrode de commande du circuit d'attaque (20). Le déphaseur (16) de niveau de tension établit une chute de tension indépendante du courant, tandis que le régulateur (18) de courant établit un courant constant dans le cheminement en série allant à l'électrode de commande, indépendant de la tension. Le circuit d'attaque (20) est un dispositif à enrichissement tel qu'un JFET, MESFET ou BJT. |
