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Appareil et procédé de réparation de masques (32) à semi-conducteurs et de réticules, utilisant un système (8) de faisceau ionique focalisé capable d'envoyer, à partir d'une seule colonne ionique, plusieurs types différents de faisceaux ioniques focalisés (12), chacun d'entre eux étant optimisé pour satisfaire les différentes conditions des principales fonctions à remplir dans la réparation de masques. Ce procédé permet de représenter le masque (32) par une image à haute résolution et avec une détérioration minimum de celui-ci. Les défauts opaques sont éliminés par gravure par crépitement à des vitesses élevées occasionnant une détérioration minimum du substrat du masque (32), avec l'utilisation facultative d'un gaz augmentant la vitesse de pulvérisation tel que du chlore, et les défauts nets sont comblés à des vitesses élevées, par dépôt d'une substance métallique ou autre, compatible avec les matières du masque, par condensation de vapeur contenant du métal tel que de l'hexacarbonyle de chrome utilisant un faisceau ionique focalisé. On utilise et on fait fonctionner une colonne de faisceau ionique focalisé capable de produire avec précision des faisceaux (12) ioniques focalisés, à des puissances élevées pour la représentation par image et pour la gravure par crépitement, et à de faibles puissances la représentation par image et le dépôt. |
