| 发明名称 | 在多晶硅上具有平滑界面的集成电路 | ||
| 摘要 | 一种得到非常平滑的多晶硅1层/层间绝缘层/多晶硅2层的界面。本质上，多晶硅1层18是无定形相的LPCVD的沉积层和用注入掺杂的。这以后沉积一种适当的绝缘层20，接着多晶硅1层18在约1000℃温度下重结晶。然后，用LPCVD沉积多晶硅2层和在950℃温度下掺入POCl3，得到的多晶硅2/层间绝缘层/多晶硅1界面是一种原子范围的非常平滑的界面，甚至在其它器件制造的热循环以后也是如此，并且相信将导至优良的漏泄特性。 | ||
| 申请公布号 | CN87102505A | 申请公布日期 | 1987.12.30 |
| 申请号 | CN87102505 | 申请日期 | 1987.03.31 |
| 申请人 | 得克萨斯仪器公司 | 发明人 | 凯利帕特纳姆·维维克·罗 |
| 分类号 | H01L21/70;H01L27/02;H01L29/92;G11C11/24 | 主分类号 | H01L21/70 |
| 代理机构 | 上海专利事务所 | 代理人 | 景星光 |
| 主权项 | 1、一种集成电路制造中在两层导电层之间制造电容器的方法，包括下列步骤：(a)沉积一种包括大于50%、处于无定形状态硅原子的第一导电层。(b)在所说的第一导电层上沉积绝缘层。(c)在所说的绝缘层上沉积一种第二导电层。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯75265达拉斯 | ||