| 摘要 |
L'INVENTION CONCERNE UN COMPOSANT SEMICONDUCTEUR EPITAXIE SUR UN SUBSTRAT 1 A PARAMETRE DE MAILLE DIFFERENT, COMPRENANT UNE SUCCESSION ALTERNEE D'UN PREMIER TYPE DE COUCHES M1-MI ET D'UN DEUXIEME TYPE DE COUCHES N1-NI. LE PARAMETRE DE MAILLE DU PREMIER TYPE DE COUCHES M1-MI EST SENSIBLEMENT ADAPTE A CELUI DU SUBSTRAT 1. LE PARAMETRE DE MAILLE DU DEUXIEME TYPE DE COUCHES N1-NI EST ADAPTE VOIRE EGAL A CELUI DU PREMIER TYPE DE COUCHES. UN COMPOSANT C, AYANT UN PARAMETRE DE MAILLE EGAL A CELUI DU DEUXIEME TYPE DE COUCHES, EST REALISE SUR LA DERNIERE COUCHE NI DU DEUXIEME TYPE. PAR AILLEURS, LES GAPS D'ENERGIE DES DEUX TYPES DE COUCHES SONT DIFFERENTES.
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