| 主权项 |
1.多孔聚乙烯薄膜之制法,包含: (a)于约65:1之拉伸比下,熔融挤 压聚乙烯树脂(其具有至少约 0.960gm/cm3之密度,及具有 至少99%重量之乙烯)以形成一 挤压先质薄膜。 (b)在低于上述树脂之结晶熔自约 10℃至约25℃之温度范围下退 火上述挤压先质薄质膜,以改良挤压 先质薄膜之结晶度,及形成一未拉 伸已退火之先质薄膜。 (c)于23℃温度下且以至少每分钟 170%之冷拉伸速率(此乃基于未 拉伸已退火先质薄膜之长度)单轴 冷拉伸上述已退火先质薄膜以达成 自约120%至约160%之冷拉伸长 度,上述冷拉伸长度系基于上述未 拉伸已退火先质薄膜之长度,以形 成一冷拉先质薄膜。 (d)以同如上述冷拉伸之单轴方向以热 拉伸上述已冷拉伸之先质薄膜,此 系于自23℃至低于树脂之结晶熔 点自约10℃约25℃之温度范 围下行之,维持冷拉伸先质薄膜 之结晶度,且系以低于每分钟34 %之热拉伸率(此乃基于上述未 拉伸已退火先质薄膜之长度)行之 ,以达成自约235%至约310%之 热拉伸长度,上述热拉伸长度乃基 于上述未拉伸已退火先质薄膜之长 度,以形成多微孔聚乙烯膜。2.根据上述请求专利 部份第1.项所定义 之方法,其中多微孔聚乙烯薄膜如上 述冷拉伸及上述热拉伸于相同单轴方 向松弛自约40%至约50%(此乃 基于上述已退火先质薄膜之长度), 此系在高于(c)之温度至等于或低于(b) 之温度范围下行之。3.根据上述请求专利部份第1. 项所定义 之方法,其中上述冷拉伸长度及上述 热拉伸长度之总和系至少140%,此 乃基于未拉伸已退火先质薄膜之长度 。4.根据上述请求专利部份第1.项所定义 之方法,其中该熔融挤压系由通过一 环形模而完成。5.根据上述请求专利部份第1.项所 定义 之方法,其中热拉伸长度大于冷拉伸 长度。6.多微孔聚乙烯膜之制备,包含: (a)于约65:1之拉伸比下,熔融挤 压具有密度至少约0.960gm/cm3 ,及具至少99%重量乙烯之聚之 烯树脂以形成一挤压先质薄膜。 (b)在低于树脂结晶熔点之约10℃至 约25℃范围内温度下退火之上述 挤压薄膜以改良挤压先质薄膜之结 晶度,及形成未拉伸已退火先质薄 膜。 (c)于23℃温度下以介于约每分钟 380%和约每分钟440%间之冷拉 伸速率下(此乃基于上述已退火先 质薄膜之长度)轴冷拉伸上述已 退火先质薄膜以完成一介于约190 %及200%之冷拉伸长度,上述冷 拉伸长度,系基于上述退火薄膜之 长度,以形成一冷拉伸先质薄膜。 (d)如上述冷拉伸于相同单轴方向及在 自23℃至低于树脂之结晶熔点约 10℃-25℃之范围内温度下热 拉伸上述已冷拉伸先质薄膜以维持 已冷拉伸先质薄膜在每分钟约105 %之热拉伸速率下结晶度(此乃基 于已退火先质薄膜之长度)以完成 约240%之热拉伸长度,上述热拉 伸长度系基于上述已退火先质薄膜 之长度,以形成一热拉伸先质薄膜 ;及 (e)如上述冷拉伸于相同单轴方向及在 高于(c)之温度至低于或等于(b)之温 度范围内之温度,于拉力下热松弛 上述已热拉伸先质薄膜,以维持已 热拉伸先质薄膜结晶度,以达成上 述热拉伸先质薄膜长度之减少0% 至约30%,上述长度之减少系基 于已退火先质薄膜之长度,以形成 多微孔聚乙烯膜。7.根据上述请求专利部份第6.项 所定义 之方法,更包含在一高于(e)之温度至 低于或等于(b)之温度之温度范围内, 定长度热定形该热松弛薄膜。8.根据上述请求专 利部份第6.项所定义 之方法,其中在(b)期间为约20分钟 。9.根据上述请求专利部份第7.项所定义 之方法,更包含热松弛,该薄膜于定 长之热松弛,以达到低于30%之长 度减少,此乃基于上述未拉伸已退火 先质薄膜之长度。10.根据上述请求专利部份第6. 项所定义 之方法,其中该熔融挤压通过一环形 模完成之。11.根据上述请求专利部份第1.或第6.项 所定义之方法,其中在(a)之薄膜厚度 小于或等于0.89密尔。 |
