CMOS CIRCUIT.

摘要

Un circuit inverseur MOS complémentaire comprend un transistor d'entrée à canal n (T20) formé dans un puits p (70) situé dans un substrat de type n. Un transistor de charge (T10) couple une tension d'alimentation (Vdd) à l'électrode de drain du transistor d'entrée (T20). Un signal d'entrée est appliqué au puits p (70), de sorte que lorsque le signal d'entrée passe de 0 volt à une tension négative, la tension de seuil du transistor d'entrée (T20) augmente à cause de l'effet de polarisation de la porte de fond, provoquant ainsi la mise hors tension du transistor d'entrée (T20) et la variation de la tension de sortie de 0 volt à une valeur positive. La tension de polarisation appliquée à la porte du transistor d'entrée (T20) peut être dérivée d'un circuit de polarisation comprenant un transistor à canal p (T30) fonctionnant comme source de courant et un transistor à canal n (T40) relié comme une diode. Dans un dispositif modifié, le transistor d'entrée (T20) peut être un dispositif à canal p formé dans un puits n. Est également décrit un circuit amplificateur différentiel.