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发明名称 FORMATION OF OXIDE LAYER ON SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
摘要
申请公布号 JPS6286829(A) 申请公布日期 1987.04.21
申请号 JP19860184388 申请日期 1986.08.07
申请人 INTERNATL BUSINESS MACH CORP <IBM> 发明人 SAMIYUERU EMIIRU BURAMU
分类号 H01L21/31;H01L21/316 主分类号 H01L21/31
代理机构 代理人
主权项
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