PROCEDE DE REALISATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR A PLUSIEURS NIVEAUX DE GRILLE.

摘要

LA PRESENTE INVENTION CONCERNE UN PROCEDE DE REALISATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR A PLUSIEURS NIVEAUX DE GRILLES.

DANS LE CAS DE LA REALISATION D'UN DISPOSITIF A DEUX NIVEAUX DE GRILLES, CE PROCEDE COMPORTE LES ETAPES SUIVANTES:

1)ON DEPOSE SUR UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR1 UNE COUCHE DE DIELECTRIQUE2, PUIS UNE COUCHE DE MATERIAU3 DANS LEQUEL DOIVENT ETRE REALISEES LES GRILLES DU PREMIER NIVEAU ET UNE COUCHE DE DIELECTRIQUE4;

2)ON REALISE PAR GRAVURE DES DEUX COUCHES SUPERIEURES3 ET 4 LES GRILLES DU PREMIER NIVEAUG;

3)ON ISOLE5 LES FLANCS DES GRILLESG DU PREMIER NIVEAU;

4)ON DEPOSE UNE DEUXIEME COUCHE DE MATERIAU6 DANS LEQUEL DOIVENT ETRE REALISEES LES GRILLES DU SECOND NIVEAU;

5)ON REALISE DANS CETTE DEUXIEME COUCHE6 UNE OUVERTURE7 PERMETTANT D'ACCEDER A LA COUCHE DU DIELECTRIQUE4 RECOUVRANT LE DESSUS DES GRILLES3 DU PREMIER NIVEAU;

6)ON SUPPRIME PAR GRAVURE PLASMA OU PAR GRAVURE CHIMIQUE LES ZONES DE LA COUCHE6 QUI SURPLOMBENT LES GRILLES3 DU PREMIER NIVEAU EN LES ATTAQUANT SIMULTANEMENT PAR LEURS FACES INTERNE ET EXTERNE.