PROCESS FOR FABRICATING MULTI-LEVEL-METAL INTEGRATED CIRCUITS AT HIGH YIELDS.

摘要

Le court-circuitage électrique provoqué entre des couches de conducteurs d'un circuit intégré par des "ondulations" (20, 22) de la couche inférieure (18) est évité par l'utilisation d'une double couche de revêtement photosensible (30, 38) sur la couche diélectrique isolante (24) qui sépare les couches métalliques (18, 46). La double couche de revêtement photosensible empêche les irrégularités provoquées dans la couche diélectrique isolante (24) par les ondulations (20, 22) de la couche diélectrique isolante sous-jacente (24) de provoquer une rupture parasite à travers la couche diélectrique isolante (24).