| 发明名称 |
Reactive ion etching device |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB2175542(A) |
申请公布日期 |
1986.12.03 |
| 申请号 |
GB19860007979 |
申请日期 |
1986.04.01 |
| 申请人 |
KABUSHIKI KAISHA * TOSHIBA |
发明人 |
TOSHIHIKO * KATSURA;MASAHIRO * ABE;KIYOSHI * TAKAOKI;MASAHARU * AOYAMA |
| 分类号 |
H01L21/302;C23F4/00;H01J37/32;H01L21/3065;H01L21/3213;(IPC1-7):C23F1/02;B44C1/22 |
主分类号 |
H01L21/302 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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