制备高纯度Ⅱ<SUB>B</SUB>-Ⅵ<SUB>A</SUB>族化合物的新方法

摘要

本发明提供了制备高纯度ⅡB-ⅥA族化合物，主要是制备ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe的新方法，上述化合物是制备发光材料和电光器件的重要原料。本发明采用“套管冷却式”容器的高频感应加热法，改变了迄今为止盛装反应物的容器和反应物加热体的形状。在加热反应过程中可以用水或冷空气对盛料的石英安瓿进行冷却，避免容器对合成的化合物的玷污，反应产物松散地落在容器壁上，容易取出产物，进行分段局部加热，安瓿内部压力低，可防止由于高压使安瓿易爆炸的问题，还大大缩短了加热时间，提高了反应产率，达到快速安全地制备高纯度材料。

主权项

1.一种用元素直接反应来制备高纯度ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe的方法，包括：将配好的反应物料装入石英管内，石英管经真空密封后，放入高频感应炉内，使其缓慢通过高频区加热，最后将合成产物分离提纯，其特征在于：金属元素Zn或Cd为条状，S或Se或Te为颗粒状，Zn或Cd与S或Se或Te的克原子比为1.2:1，容器为“套管冷却式”，内管为石英管，外管为玻璃管，感应加热区温度为500℃-800℃，反应时间为5-15分钟，采用水或冷空气进行冷却。