Une puce de circuit intégré comporte une couche de nitrure de silicium (4-20) déposée sur le diélectrique intermétallique d'oxyde de silicium et de métallisation supérieur (4-10) sur laquelle une couche de polyimide (4-50) soutient un réseau de conducteurs électriques; la couche de nitrure (4-20) s'étend entièrement sur l'oxyde de silicium (4-10) à partir des voies (4-200) au bord du dé afin de chevaucher les contacts métalliques (4-0,5) connectés de la couche de métallisation aux conducteurs électriques supérieurs.
