Laser lithography.

摘要

Es wird ein Laserstrahl-Lithograph für die Herstellung hochintegrierter Halbleiter-Bauelemente angegeben, bei dem die Aufzeichnung von in einer Schicht vorgesehenen Linien- und Flächenstrukturen durch strukturkonforme Belichtung einer Fotokackschicht erfolgt. Die erforderlichen Relativbewegungen der Wafer und des Belichtungsstrahles werden sowohl durch Auslenkungen desselben als auch durch rechnergesteuerte Bewegungen erzielt. Im Belichtungs-Strahlengang ist als Fokussierungselement mindestens ein aktiver Spiegel mit elektrisch steuerbarer Brennweite vorgesehen. Eine Abtast-Einrichtung erfasst die räumliche Verteilung an ausgewählten Flächenelemented der waferreflektierten Testlichtes. Aus dem Vergleich der Intensitätsverteilung des reflektierten Lichtes (Punktbildfunktion) mit einer für optimale Fokussierung charakteristischen idealen Punktbildfunktion werden Ansteuersignale für den aktiven Spiegel im Sinne der Einstellung definierter Fokussierungsbe-dingungen erzeugt. Zur Intensitätsmodulation des Belichtungsstrahls ist ein akusto-optischer Modulator eingesetzt.